Антава

INFINEON

Транзистор IPT059N15N3

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
150 V
Drain current
155 A
Power dissipation
375 W
Корпус
HSOF-8
On-state resistance
5.9 mΩ

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPT059N15N3
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage150 V
Drain current155 A
Power dissipation375 W
КорпусHSOF-8
On-state resistance5.9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge69nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 150V; 155A; 375W; HSOF-8

Документация

Документы пока не предоставлены.