Антава

INFINEON TECHNOLOGIES

Транзистор IPT030N12N3GATMA1

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
120V
Drain current
237A
Power dissipation
375W
Корпус
HSOF-8
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPT030N12N3GATMA1
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage120V
Drain current237A
Power dissipation375W
КорпусHSOF-8
On-state resistance3mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge158nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 237A; 375W; HSOF-8

Документация

Документы пока не предоставлены.