Антава

INFINEON

Транзистор IPT029N08N5ATMA1

IPT029N08N5ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 5
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
120 A
Pulsed drain current
676 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPT029N08N5ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 5
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current120 A
Pulsed drain current676 A
Рассеиваемая мощность167 W
КорпусPG-HSOF-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge70nC
Kind of packagetape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 676A; 167W

Документация

Документ производителя