Антава

INFINEON

Транзистор IPT020N10N3

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Drain-source voltage
100 V
Drain current
300 A
Pulsed drain current
1.2kA
Power dissipation
375 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPT020N10N3
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Drain-source voltage100 V
Drain current300 A
Pulsed drain current1.2kA
Power dissipation375 W
КорпусHSOF-8
On-state resistance2 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge156nC
Kind of channelenhancement
Semiconductor structuresingle transistor
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 100V; 300A; Idm: 1200A; 375W; HSOF-8

Документация

Документы пока не предоставлены.