Антава

INFINEON

Транзистор IPT015N10N5ATMA1

IPT015N10N5ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 5
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
243 A
Pulsed drain current
1.2kA
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPT015N10N5ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 5
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current243 A
Pulsed drain current1.2kA
Рассеиваемая мощность375 W
КорпусPG-HSOF-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge169nC
Kind of packagetape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 243A; Idm: 1200A; 375W

Документация

Документ производителя