Антава

INFINEON

Транзистор IPT012N08N5ATMA1

IPT012N08N5ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 5
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
279 A
Pulsed drain current
1.2kA
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 949 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%1 054,22 ₽

Сумма · с НДС 22%1 054,22 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 054,22 ₽
от 10917,45 ₽
от 50873,77 ₽
от 100850,97 ₽
от 250824,38 ₽
от 500801,58 ₽
от 1000792,09 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIPT012N08N5ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 5
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current279 A
Pulsed drain current1.2kA
Power dissipation375 W
КорпусPG-HSOF-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.2 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge178nC
Kind of packagetape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 279A; Idm: 1200A; 375W

Документация

Документ производителя