Антава

INFINEON

Транзистор IPT012N08N5ATMA1

IPT012N08N5ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 5
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
279 A
Pulsed drain current
1.2kA
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPT012N08N5ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 5
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current279 A
Pulsed drain current1.2kA
Power dissipation375 W
КорпусPG-HSOF-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.2 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge178nC
Kind of packagetape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 279A; Idm: 1200A; 375W

Документация

Документ производителя