Антава

INFINEON

Транзистор IPT007N06NATMA1

IPT007N06NATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
OptiMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
300A
Pulsed drain current
1.2kA
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPT007N06NATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyOptiMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current300A
Pulsed drain current1.2kA
Power dissipation375W
КорпусPG-HSOF-8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.7mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge216nC
Kind of packagetape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; Idm: 1200A; 375W

Документация

Документ производителя