Антава

INFINEON

Транзистор IPT004N03LATMA1

IPT004N03LATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
300 A
Pulsed drain current
1.2kA

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяIPT004N03LATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current300 A
Pulsed drain current1.2kA
Power dissipation300 W
КорпусPG-HSOF-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge53nC
Kind of packagetape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300A; Idm: 1200A; 300W

Документация

Документ производителя