Антава

INFINEON

Транзистор IPS70R900P7SAKMA1

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
700 V
Drain current
6 A
Рассеиваемая мощность
30.5 W
Корпус
TO251
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPS70R900P7SAKMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage700 V
Drain current6 A
Рассеиваемая мощность30.5 W
КорпусTO251
On-state resistance0.74 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge6.9nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 6A; 30.5W; TO251

Документация

Документы пока не предоставлены.