Антава

INFINEON

Транзистор IPS70R600P7SAKMA1

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
700 V
Drain current
8.5 A
Рассеиваемая мощность
43.1 W
Корпус
IPAK, TO251

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяIPS70R600P7SAKMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage700 V
Drain current8.5 A
Рассеиваемая мощность43.1 W
КорпусIPAK, TO251
On-state resistance0.49 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge10.5nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8.5A; 43.1W; IPAK,TO251

Документация

Документы пока не предоставлены.