Антава

INFINEON

Транзистор IPS70R1K4P7SAKMA1

IPS70R1K4P7SAKMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™ P7
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
700 V
Drain current
2.5 A
Power dissipation
22.7 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPS70R1K4P7SAKMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™ P7
Polarisationunipolar
Drain-source voltage700 V
Drain current2.5 A
Power dissipation22.7 W
КорпусIPAK SL
Gate-source voltage±16 V
On-state resistance1.4 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge4.7nC
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.5A; 22.7W; IPAK SL; ESD

Документация

Документ производителя