Антава

INFINEON

Транзистор IPS65R1K4C6AKMA1

IPS65R1K4C6AKMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
3.2 A
Power dissipation
28 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPS65R1K4C6AKMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current3.2 A
Power dissipation28 W
КорпусIPAK SL
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.4 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.2A; 28W; IPAK SL

Документация

Документ производителя