Антава

INFINEON

Транзистор IPP80R900P7XKSA1

IPP80R900P7XKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™ P7
Drain-source voltage
800 V
Drain current
6 A
Рассеиваемая мощность
45 W
Корпус
TO220-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPP80R900P7XKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™ P7
Drain-source voltage800 V
Drain current6 A
Рассеиваемая мощность45 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage20 V
On-state resistance770 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge15nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 800V; 6A; 45W; TO220-3

Документация

Документы пока не предоставлены.