Антава

INFINEON

Транзистор IPP80R1K2P7XKSA1

IPP80R1K2P7XKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™ P7
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
3.1 A
Рассеиваемая мощность
37 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPP80R1K2P7XKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™ P7
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current3.1 A
Рассеиваемая мощность37 W
КорпусPG-TO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.2 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge11nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO220-3; ESD

Документация

Документ производителя