Антава

INFINEON

Транзистор IPP80R1K2P7XKSA1

IPP80R1K2P7XKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™ P7
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
3.1 A
Рассеиваемая мощность
37 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 319 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%318,09 ₽

Сумма · с НДС 22%318,09 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1318,09 ₽
от 10264,77 ₽
от 15255,58 ₽
от 50235,35 ₽
от 150218,80 ₽
от 200215,12 ₽
от 750207,77 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIPP80R1K2P7XKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™ P7
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current3.1 A
Рассеиваемая мощность37 W
КорпусPG-TO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.2 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge11nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO220-3; ESD

Документация

Документ производителя