Антава

INFINEON

Транзистор IPP65R310CFDXKSA2

IPP65R310CFDXKSA2
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™
Drain-source voltage
650 V
Drain current
11.4 A
Рассеиваемая мощность
104.2 W
Корпус
TO220-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPP65R310CFDXKSA2
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™
Drain-source voltage650 V
Drain current11.4 A
Рассеиваемая мощность104.2 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage20 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge41nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 650V; 11.4A; 104.2W; TO220-3

Документация

Документы пока не предоставлены.