Антава

INFINEON

Транзистор IPP65R225C7XKSA1

IPP65R225C7XKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
11 A
Рассеиваемая мощность
63 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPP65R225C7XKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current11 A
Рассеиваемая мощность63 W
КорпусPG-TO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.225 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 63W; PG-TO220-3

Документация

Документ производителя