Антава

INFINEON

Транзистор IPP65R190C6XKSA1

IPP65R190C6XKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
20.2 A
Power dissipation
151 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPP65R190C6XKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current20.2 A
Power dissipation151 W
КорпусPG-TO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.19 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3

Документация

Документ производителя