Антава

INFINEON

Транзистор IPP65R110CFDXKSA1

IPP65R110CFDXKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
31.2 A
Power dissipation
277.8 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPP65R110CFDXKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current31.2 A
Power dissipation277.8 W
КорпусPG-TO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.11 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; PG-TO220-3

Документация

Документ производителя