Антава

INFINEON

Транзистор IPP65R099C6XKSA1

IPP65R099C6XKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
38 A
Рассеиваемая мощность
278 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPP65R099C6XKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current38 A
Рассеиваемая мощность278 W
КорпусPG-TO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance99 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO220-3

Документация

Документ производителя