Антава

INFINEON

Транзистор IPP65R095C7XKSA1

IPP65R095C7XKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
24 A
Рассеиваемая мощность
128 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 188 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 295,19 ₽

Сумма · с НДС 22%1 295,19 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 295,19 ₽
от 10672,90 ₽
от 25635,41 ₽
от 50607,30 ₽
от 100582,93 ₽
от 250547,32 ₽
от 500526,70 ₽
от 750515,45 ₽
от 1000511,70 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIPP65R095C7XKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current24 A
Рассеиваемая мощность128 W
КорпусPG-TO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance95 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; 128W; PG-TO220-3

Документация

Документ производителя