Антава

INFINEON

Транзистор IPP60R199CPXKSA1

IPP60R199CPXKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™ CP
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
16 A
Power dissipation
139 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPP60R199CPXKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™ CP
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current16 A
Power dissipation139 W
КорпусPG-TO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.199 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 139W; PG-TO220-3

Документация

Документ производителя