Антава

INFINEON

Транзистор IPP60R165CPXKSA1

IPP60R165CPXKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™ CP
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
21 A
Рассеиваемая мощность
192 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPP60R165CPXKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™ CP
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current21 A
Рассеиваемая мощность192 W
КорпусPG-TO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.165 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO220-3

Документация

Документ производителя