INFINEON
Транзистор IPP60R160P6XKSA1
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- CoolMOS™ P6
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 600 V
- Drain current
- 23.8 A
- Рассеиваемая мощность
- 176 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 497 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%526,70 ₽
Сумма · с НДС 22%526,70 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 526,70 ₽ | |
| от 5 | 449,85 ₽ | |
| от 10 | 421,73 ₽ | |
| от 25 | 391,74 ₽ | |
| от 50 | 369,25 ₽ | |
| от 100 | 331,76 ₽ | |
| от 500 | 258,66 ₽ | |
| от 1000 | 234,30 ₽ | |
| от 1500 | 226,80 ₽ | |
| от 2000 | 224,92 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | IPP60R160P6XKSA1 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | CoolMOS™ P6 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 600 V |
| Drain current | 23.8 A |
| Рассеиваемая мощность | 176 W |
| Корпус | PG-TO220-3 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 0.16 Ω |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO220-3
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.