Антава

INFINEON

Транзистор IPP60R125P6XKSA1

IPP60R125P6XKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™ P6
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
30 A
Рассеиваемая мощность
219 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 31 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%916,87 ₽

Сумма · с НДС 22%916,87 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1916,87 ₽
от 10579,36 ₽
от 25517,99 ₽
от 50474,68 ₽
от 100433,17 ₽
от 500335,70 ₽
от 1000294,19 ₽
от 1500272,53 ₽
от 2000263,51 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIPP60R125P6XKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™ P6
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current30 A
Рассеиваемая мощность219 W
КорпусPG-TO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.125 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO220-3

Документация

Документ производителя