Антава

INFINEON

Транзистор IPP50R190CEXKSA1

IPP50R190CEXKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
18.5 A
Рассеиваемая мощность
127 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 415 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%501,34 ₽

Сумма · с НДС 22%501,34 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1501,34 ₽
от 10342,83 ₽
от 25294,91 ₽
от 50258,04 ₽
от 100226,71 ₽
от 500171,41 ₽
от 1000165,88 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIPP50R190CEXKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current18.5 A
Рассеиваемая мощность127 W
КорпусPG-TO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.19 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.5A; 127W; PG-TO220-3

Документация

Документ производителя