Антава

INFINEON

Транзистор IPP17N25S3100AKSA1

IPP17N25S3100AKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ T
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250 V
Drain current
13.3 A
Pulsed drain current
68 A

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяIPP17N25S3100AKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ T
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250 V
Drain current13.3 A
Pulsed drain current68 A
Рассеиваемая мощность107 W
КорпусPG-TO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.1 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 250V; 13.3A; Idm: 68A

Документация

Документы пока не предоставлены.