Антава

INFINEON

Транзистор IPP110N20NAAKSA1

IPP110N20NAAKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
88 A
Рассеиваемая мощность
300 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPP110N20NAAKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current88 A
Рассеиваемая мощность300 W
КорпусPG-TO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance11 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3

Документация

Документ производителя