Антава

INFINEON

Транзистор IPP095N20NM6AKSA1

IPP095N20NM6AKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 6
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
116 A
Pulsed drain current
464 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPP095N20NM6AKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 6
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current116 A
Pulsed drain current464 A
Рассеиваемая мощность300 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance9.5 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge53nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 116A; Idm: 464A

Документация

Документ производителя