Антава

INFINEON

Транзистор IPP076N15N5XKSA1

IPP076N15N5XKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
150 V
Drain current
112 A
Рассеиваемая мощность
214 W
Корпус
TO220-3
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPP076N15N5XKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage150 V
Drain current112 A
Рассеиваемая мощность214 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7.6 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 150V; 112A; 214W; TO220-3

Документация

Документы пока не предоставлены.