Антава

INFINEON TECHNOLOGIES

Транзистор IPP052NE7N3GXKSA1

IPP052NE7N3GXKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
75V
Drain current
80A
Power dissipation
150W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPP052NE7N3GXKSA1
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage75V
Drain current80A
Power dissipation150W
КорпусPG-TO220-3
Gate-source voltage±20V
On-state resistance5.2mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 150W; PG-TO220-3

Документация

Документ производителя