Антава

INFINEON

Транзистор IPP04CN10NGXKSA1

IPP04CN10NGXKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
100 A
Power dissipation
300 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPP04CN10NGXKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current100 A
Power dissipation300 W
КорпусPG-TO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.9 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge158nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3

Документация

Документ производителя