Антава

INFINEON

Транзистор IPP048N12N3GXKSA1

IPP048N12N3GXKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
120 V
Drain current
120 A
Рассеиваемая мощность
300 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 507 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%752,02 ₽

Сумма · с НДС 22%752,02 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1752,02 ₽
от 10625,15 ₽
от 50511,15 ₽
от 100474,38 ₽
от 250432,09 ₽
от 500406,35 ₽
от 750395,31 ₽
от 1000387,96 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIPP048N12N3GXKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage120 V
Drain current120 A
Рассеиваемая мощность300 W
КорпусPG-TO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.8 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3

Документация

Документ производителя