Антава

INFINEON

Транзистор IPP045N10N3GXKSA1

IPP045N10N3GXKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
100 A
Рассеиваемая мощность
214 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 461 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%618,54 ₽

Сумма · с НДС 22%618,54 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1618,54 ₽
от 10408,61 ₽
от 20384,25 ₽
от 50354,26 ₽
от 100331,76 ₽
от 250301,77 ₽
от 500281,16 ₽
от 1000258,66 ₽
от 1500245,54 ₽
от 2500230,55 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIPP045N10N3GXKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current100 A
Рассеиваемая мощность214 W
КорпусPG-TO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.5 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3

Документация

Документ производителя