Антава

INFINEON

Транзистор IPP041N12N3GXKSA1

IPP041N12N3GXKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
120 V
Drain current
120 A
Рассеиваемая мощность
300 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 48 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%956,56 ₽

Сумма · с НДС 22%956,56 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1956,56 ₽
от 50874,51 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIPP041N12N3GXKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage120 V
Drain current120 A
Рассеиваемая мощность300 W
КорпусPG-TO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.1 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3

Документация

Документ производителя