Антава

INFINEON

Транзистор IPP037N08N3GXKSA1

IPP037N08N3GXKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
100 A
Рассеиваемая мощность
214 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 224 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%649,05 ₽

Сумма · с НДС 22%649,05 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1649,05 ₽
от 10371,41 ₽
от 50319,93 ₽
от 100299,70 ₽
от 500257,41 ₽
от 1000240,87 ₽
от 1500229,83 ₽
от 2500218,80 ₽
от 4000207,77 ₽
от 5000200,42 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIPP037N08N3GXKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current100 A
Рассеиваемая мощность214 W
КорпусPG-TO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.7 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO220-3

Документация

Документ производителя