Антава

INFINEON

Транзистор IPP030N10N3GXKSA1

IPP030N10N3GXKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
100 A
Power dissipation
300 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 85 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 024,99 ₽

Сумма · с НДС 22%1 024,99 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 024,99 ₽
от 50511,55 ₽
от 1500477,70 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIPP030N10N3GXKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current100 A
Power dissipation300 W
КорпусPG-TO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3

Документация

Документ производителя