Антава

INFINEON

Транзистор IPP029N06NXKSA1

IPP029N06NXKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
100 A
Рассеиваемая мощность
38 W
Корпус
TO220-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPP029N06NXKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current100 A
Рассеиваемая мощность38 W
КорпусTO220-3
On-state resistance2.9 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge66nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 38W; TO220-3

Документация

Документы пока не предоставлены.