Антава

INFINEON

Транзистор IPP023NE7N3GXKSA1

IPP023NE7N3GXKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
75 V
Drain current
120 A
Рассеиваемая мощность
300 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPP023NE7N3GXKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage75 V
Drain current120 A
Рассеиваемая мощность300 W
КорпусPG-TO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.3 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; PG-TO220-3

Документация

Документ производителя