Антава

INFINEON

Транзистор IPP023N10N5AKSA1

IPP023N10N5AKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 5
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
120 A
Power dissipation
375 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPP023N10N5AKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 5
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current120 A
Power dissipation375 W
КорпусPG-TO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.3 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO220-3

Документация

Документ производителя