Антава

INFINEON

Транзистор IPP019N08NF2SAKMA1

IPP019N08NF2SAKMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
StrongIRFET™ 2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
147 A
Pulsed drain current
764 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPP019N08NF2SAKMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияStrongIRFET™ 2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current147 A
Pulsed drain current764 A
Рассеиваемая мощность250 W
КорпусPG-TO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.9 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge124nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 147A; Idm: 764A; 250W

Документация

Документ производителя