Антава

INFINEON

Транзистор IPP015N04NGXKSA1

IPP015N04NGXKSA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
120 A
Power dissipation
250 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 3 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%1 077,01 ₽

Сумма · с НДС 22%1 077,01 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 077,01 ₽
от 51 008,63 ₽
от 10930,75 ₽
от 25761,70 ₽
от 50594,54 ₽
от 100581,24 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIPP015N04NGXKSA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current120 A
Power dissipation250 W
КорпусPG-TO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.5 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3

Документация

Документ производителя