Антава

INFINEON

Транзистор IPN80R600P7ATMA1

IPN80R600P7ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™ P7
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
5.5 A
Рассеиваемая мощность
7.4 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPN80R600P7ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™ P7
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current5.5 A
Рассеиваемая мощность7.4 W
КорпусPG-SOT223
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.6 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge20nC
Kind of packagereel
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 7.4W; PG-SOT223; ESD

Документация

Документ производителя