Антава

INFINEON TECHNOLOGIES

Транзистор IPN80R4K5P7ATMA1

IPN80R4K5P7ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
CoolMOS™ P7
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800V
Drain current
1A
Power dissipation
6W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPN80R4K5P7ATMA1
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyCoolMOS™ P7
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800V
Drain current1A
Power dissipation6W
КорпусPG-SOT223
Gate-source voltage±20V
On-state resistance4.5Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge4nC
Kind of packagereel
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223; ESD

Документация

Документ производителя