Антава

INFINEON

Транзистор IPN70R900P7SATMA1

IPN70R900P7SATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™ P7
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
700 V
Drain current
3.5 A
Рассеиваемая мощность
6.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIPN70R900P7SATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™ P7
Polarisationunipolar
Drain-source voltage700 V
Drain current3.5 A
Рассеиваемая мощность6.5 W
КорпусPG-SOT223
Gate-source voltage±16 V
On-state resistance0.9 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6.8nC
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 6.5W; PG-SOT223; ESD

Документация

Документ производителя