Антава

INFINEON

Транзистор IPN70R1K0CEATMA1

IPN70R1K0CEATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™ CE
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
700 V
Drain current
4.7 A
Power dissipation
5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPN70R1K0CEATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™ CE
Polarisationunipolar
Drain-source voltage700 V
Drain current4.7 A
Power dissipation5 W
КорпусPG-SOT223
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge15.2nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.7A; 5W; PG-SOT223

Документация

Документ производителя