Антава

INFINEON

Транзистор IPN60R600P7SATMA1

IPN60R600P7SATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™ P7
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
4 A
Рассеиваемая мощность
7 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 764 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%181,37 ₽

Сумма · с НДС 22%181,37 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1181,37 ₽
от 10104,43 ₽
от 2097,10 ₽
от 5088,67 ₽
от 10082,99 ₽
от 50067,60 ₽
от 100060,46 ₽
от 300049,65 ₽
от 600042,87 ₽
от 900038,66 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIPN60R600P7SATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™ P7
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current4 A
Рассеиваемая мощность7 W
КорпусPG-SOT223
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.6 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge9nC
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 7W; PG-SOT223; ESD

Документация

Документ производителяДокумент производителя