Антава

INFINEON

Транзистор IPN60R3K4CEATMA1

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™ CE
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
1.6 A
Pulsed drain current
3.9 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIPN60R3K4CEATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™ CE
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current1.6 A
Pulsed drain current3.9 A
Power dissipation5 W
КорпусPG-SOT223
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.4 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1.6A; Idm: 3.9A; 5W; PG-SOT223

Документация

Документы пока не предоставлены.