Антава

INFINEON

Транзистор IPN60R360P7S

IPN60R360P7S
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
600 V
Drain current
9 A
Pulsed drain current
26 A
Корпус
SOT223
On-state resistance
0.36 Ω

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяIPN60R360P7S
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage600 V
Drain current9 A
Pulsed drain current26 A
КорпусSOT223
On-state resistance0.36 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge13nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 600V; 9A; Idm: 26A; SOT223

Документация

Документы пока не предоставлены.